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场效应三极管-晶瀚集团

文章摘要:场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即大都载流子和反极性的少数载流子介入导电,是以称为双极型晶体管,而FET仅是由
场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即大都载流子和反极性的少数载流子介入导电,是以称为双极型晶体管,而FET仅是由大都载流子介入导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。它属于电压节制型半导体器件,具有输入电阻高(108~109Ω)、噪声小、功耗低、动态规模年夜、易于集成、没有二次击穿现象、平安工作区域宽等长处,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的壮大竞争者。
  1、场效应管的分北京led灯珠
  场效应管分结型、绝缘栅型两年夜类。结型场效应管(JFET)因有两个PN结而得名,绝缘栅型场效应管(JGFET)则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。今朝在绝缘栅型场效应管中,利用最为普遍的是MOS场效应管,简称mos管(即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET);另外还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管,和比来刚问世的πMOS场效应管、VMOS功率模块等。
  按沟道半导体材料的分歧,结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。若按导电体例来划分,场效应管又可分成耗尽型与加强型。结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有加强型的。
  场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和加强型;P沟耗尽型和加强型四年夜类。
  2、场效应三极管的型号定名方式
  现行有两种定名方式。
  第一种定名方式与双极型三极管不异,第三位字母J代表结型场效应管,O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表 材料,D是P型硅,反型层是N沟道;C是N型硅P沟道。例如,3DJ6D是结型N沟道场效应三极管,3DO6C 是绝缘栅型N沟道场效应三极管。
  第二种定名方式是CS××#,CS代表场效应管,××以数字代表型号的序号,#用字母代表统一型号中的分歧规格。例如CS14A、CS45G等。
  3、场效应管的参数
  场效应管的参数良多,包罗直流参数、交换参数和极限参数,但一般利用时存眷以下首要参数:
  1、I DSS--饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,栅极电压U GS=0时的漏源电流。
  2、UP--工作在开关状况下的三极管都可以叫开关管。三极管有PNP、NPN、单结晶体管等。

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